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IPD70R900P7SAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70R900P7SAUMA1
Code Commande43AC3273
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
329 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,328 $ |
| 10+ | 0,328 $ |
| 25+ | 0,328 $ |
| 50+ | 0,328 $ |
| 100+ | 0,328 $ |
| 250+ | 0,328 $ |
| 500+ | 0,328 $ |
| 1000+ | 0,328 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,33 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70R900P7SAUMA1
Code Commande43AC3273
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.74ohm
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd30.5W
Power Dissipation30.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
700V CoolMOS™ P7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and recommended for Flyback topologies for example used in chargers, adapters, lighting applications, etc.
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Rds(on)*Eoss
- Excellent thermal behaviour
- Integrated ESD protection diode
- Low switching losses (Eoss)
- Qualified for standard grade applications
- Cost competitive technology
- Lower temperature
- High ESD ruggedness
- Enables efficiency gains at higher switching frequencies
- Enables high power density designs and small form factors
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
700V
On Resistance Rds(on)
0.74ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
30.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
30.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit