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IPD80P03P4L07ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80P03P4L07ATMA2
Code Commande38AJ3776
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 10+ | 1,490 $ |
| 25+ | 1,370 $ |
| 50+ | 1,230 $ |
| 100+ | 1,090 $ |
| 250+ | 1,030 $ |
| 500+ | 0,883 $ |
| 1000+ | 0,819 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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1,96 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80P03P4L07ATMA2
Code Commande38AJ3776
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.0056ohm
Drain Source On State Resistance0.0068ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation88W
Power Dissipation Pd88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0056ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.0068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit