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IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 1.9A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R2K8CEATMA1
Code Commande12AC9716
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
Options de conditionnement
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,850 $ |
| 10+ | 1,310 $ |
| 25+ | 1,220 $ |
| 50+ | 1,120 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
| 250+ | 0,950 $ |
| 500+ | 0,875 $ |
| 1000+ | 0,814 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,85 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R2K8CEATMA1
Code Commande12AC9716
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance2.4ohm
On Resistance Rds(on)2.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.4ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
2.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD80R2K8CEATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits