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IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 1.9A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R3K3P7ATMA1
Code Commande24AC9044
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Options de conditionnement
2 359 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,894 $ |
| 10+ | 0,871 $ |
| 25+ | 0,809 $ |
| 50+ | 0,748 $ |
| 100+ | 0,687 $ |
| 250+ | 0,651 $ |
| 500+ | 0,615 $ |
| 1000+ | 0,569 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,89 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD80R3K3P7ATMA1
Code Commande24AC9044
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance2.8ohm
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd18W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation18W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
2.8ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
18W
Power Dissipation
18W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD80R3K3P7ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits