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IPD85P04P4L06ATMA2
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, -85A, 88W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P4L06ATMA2
Code Commande51AH5911
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
2 504 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,170 $ |
| 10+ | 2,340 $ |
| 25+ | 2,140 $ |
| 50+ | 1,920 $ |
| 100+ | 1,710 $ |
| 250+ | 1,580 $ |
| 500+ | 1,440 $ |
| 1000+ | 1,370 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,17 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P4L06ATMA2
Code Commande51AH5911
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id85A
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Drain Source On State Resistance5300µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd88W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
85A
Drain Source On State Resistance
5300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
88W
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits