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IPD90N03S4L02ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N03S4L02ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5240
Mise en bobine85X6035RL
Bandes découpées85X6035
Votre numéro de pièce
18 639 En Stock
18 639 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,660 $ | 3,66 $ |
| Total Prix | 3,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,660 $ |
| 50+ | 1,860 $ |
| 100+ | 1,560 $ |
| 250+ | 1,430 $ |
| 500+ | 1,310 $ |
| 1000+ | 1,220 $ |
| 2500+ | 1,100 $ |
| 5000+ | 1,080 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,500 $ |
| 7500+ | 1,390 $ |
| 12500+ | 1,360 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N03S4L02ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5240
Mise en bobine85X6035RL
Bandes découpées85X6035
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance2200µohm
On Resistance Rds(on)0.0018ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd136W
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPD90N03S4L-02 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Ultra low RDS (ON)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2200µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
136W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (4)
Produits de remplacement pour IPD90N03S4L02ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit