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IPD90N10S406ATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N10S406ATMA1Copie
Code Commande58AJ2304
Gamme de produitOptiMOS-T2
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 4,500 $ |
| 10+ | 2,920 $ |
| 25+ | 2,610 $ |
| 50+ | 2,320 $ |
| 100+ | 2,010 $ |
| 250+ | 1,820 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N10S406ATMA1Copie
Code Commande58AJ2304
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance6700µohm
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6700µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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