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IPD90N10S4L06ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0066 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N10S4L06ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5244
Mise en bobine34AC1693RL
Bandes découpées34AC1693
Gamme de produitOptiMOS T2
Votre numéro de pièce
5 456 En Stock
5 456 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,190 $ | 4,19 $ |
| Total Prix | 4,19 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,190 $ |
| 50+ | 2,600 $ |
| 100+ | 1,870 $ |
| 250+ | 1,700 $ |
| 500+ | 1,520 $ |
| 1000+ | 1,430 $ |
| 2500+ | 1,340 $ |
| 5000+ | 1,310 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,340 $ |
| 7500+ | 1,240 $ |
| 12500+ | 1,220 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N10S4L06ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5244
Mise en bobine34AC1693RL
Bandes découpées34AC1693
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- OptiMOS® -T2 power transistor
- N-channel - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD90N10S4L06ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit