Imprimer la page
IPDD60R075CFD7XTMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 40A, HDSOP
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPDD60R075CFD7XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AJ0127RL
Bandes découpées22AJ0127
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,140 $ | 10,14 $ |
| Total Prix | 10,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,140 $ |
| 50+ | 6,920 $ |
| 100+ | 5,100 $ |
| 250+ | 4,970 $ |
| 500+ | 4,830 $ |
| 1000+ | 4,730 $ |
| 2500+ | 4,630 $ |
| 5000+ | 4,540 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPDD60R075CFD7XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AJ0127RL
Bandes découpées22AJ0127
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor Case StyleHDSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd266W
Power Dissipation266W
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
266W
No. of Pins
10Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
266W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit