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IPF042N10NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 139A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPF042N10NF2SATMA1Copie
Code Commande63AK1717
Gamme de produitStronglRFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,660 $ |
| 10+ | 2,350 $ |
| 25+ | 2,090 $ |
| 50+ | 1,850 $ |
| 100+ | 1,600 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPF042N10NF2SATMA1Copie
Code Commande63AK1717
Gamme de produitStronglRFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id139A
Drain Source On State Resistance3700µohm
Transistor Case StyleTO-263
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation167W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
139A
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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