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IPG20N06S415ATMA2
MOSFET,DUAL, N-CH, 60V, 20A, PG-TDSON ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S415ATMA2
Code Commande68AK5327
Gamme de produitOptiMOS -T2 Series
Fiche technique
1 635 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,770 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 25+ | 1,650 $ |
| 50+ | 1,460 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 250+ | 1,270 $ |
| 500+ | 1,020 $ |
| 1000+ | 0,909 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,77 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S415ATMA2
Code Commande68AK5327
Gamme de produitOptiMOS -T2 Series
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0129ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePG-TDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel50W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS -T2 Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS -T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0129ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Power Dissipation N Channel
50W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits