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IPG20N06S4L26ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S4L26ATMA1
Code Commande50Y2049
Egalement appeléIPG20N06S4L-26, SP000705588
Fiche technique
12 000 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,350 $ |
| 10+ | 0,894 $ |
| 25+ | 0,861 $ |
| 50+ | 0,793 $ |
| 100+ | 0,725 $ |
| 250+ | 0,719 $ |
| 500+ | 0,675 $ |
| 1000+ | 0,633 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,35 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S4L26ATMA1
Code Commande50Y2049
Egalement appeléIPG20N06S4L-26, SP000705588
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPG20N06S4L26ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit