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IPL65R095CFD7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL65R095CFD7AUMA1
Code Commande25AK0801
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ Series
Fiche technique
4 391 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,900 $ |
| 10+ | 3,900 $ |
| 25+ | 3,900 $ |
| 50+ | 3,900 $ |
| 100+ | 3,840 $ |
| 250+ | 3,800 $ |
| 500+ | 3,760 $ |
| 1000+ | 3,400 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,90 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPL65R095CFD7AUMA1
Code Commande25AK0801
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id29A
On Resistance Rds(on)0.068ohm
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation171W
Power Dissipation Pd171W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7 SJ Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.068ohm
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
171W
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS CFD7 SJ Series
MSL
MSL 2A - 4 weeks
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit