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IPLU300N04S4R8XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPLU300N04S4R8XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9061RL
Bandes découpées13AC9061
Gamme de produitOptiMOS T2
Votre numéro de pièce
2 768 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,700 $ | 9,70 $ |
| Total Prix | 9,70 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,700 $ |
| 50+ | 5,420 $ |
| 100+ | 4,960 $ |
| 250+ | 4,680 $ |
| 500+ | 4,390 $ |
| 1000+ | 3,740 $ |
| 2500+ | 3,730 $ |
| 5000+ | 3,660 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPLU300N04S4R8XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9061RL
Bandes découpées13AC9061
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance770µohm
On Resistance Rds(on)530µohm
Transistor Case StyleH-PSOF-8-1
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd429W
Power Dissipation429W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- OptiMOS™-T2 power-transistor
- N-channel enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- Ultra-low Rds(on)
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
770µohm
Transistor Case Style
H-PSOF-8-1
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
429W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
530µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
429W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit