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IPN60R1K0PFD7SATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 4.7A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN60R1K0PFD7SATMA1
Code Commande92AH8416
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
1 859 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,330 $ |
| 10+ | 1,010 $ |
| 25+ | 0,914 $ |
| 50+ | 0,821 $ |
| 100+ | 0,727 $ |
| 250+ | 0,668 $ |
| 500+ | 0,608 $ |
| 1000+ | 0,566 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,33 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN60R1K0PFD7SATMA1
Code Commande92AH8416
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.84ohm
On Resistance Rds(on)0.84ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd6W
Power Dissipation6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.84ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
6W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.84ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits