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IPN80R1K2P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 4.5A, 6.8W, SOT-223
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN80R1K2P7ATMA1
Code Commande93AC7124
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
2 633 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,980 $ |
| 10+ | 1,440 $ |
| 25+ | 1,320 $ |
| 50+ | 1,210 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
| 250+ | 1,100 $ |
| 500+ | 0,954 $ |
| 1000+ | 0,875 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,98 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPN80R1K2P7ATMA1
Code Commande93AC7124
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.5A
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6.8W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation6.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source On State Resistance
1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6.8W
Power Dissipation
6.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits