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IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-220-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP045N10N3GXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande85X6038
Votre numéro de pièce
396 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,620 $ |
| 10+ | 2,980 $ |
| 100+ | 2,670 $ |
| 500+ | 2,170 $ |
| 1000+ | 1,990 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,62 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP045N10N3GXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande85X6038
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance4500µohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd214W
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
- 100V OptiMOS™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS (on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPP045N10N3GXKSA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit