Imprimer la page
IPP200N15N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP200N15N3GXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande60R2760
Egalement appeléIPP200N15N3 G, SP000680884
Votre numéro de pièce
1 730 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,230 $ |
| 10+ | 2,670 $ |
| 100+ | 2,420 $ |
| 500+ | 1,920 $ |
| 1000+ | 1,850 $ |
| 2500+ | 1,810 $ |
| 5000+ | 1,780 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,23 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP200N15N3GXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande60R2760
Egalement appeléIPP200N15N3 G, SP000680884
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPP200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Audio
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPP200N15N3GXKSA1
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit