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IPP200N25N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 0.0175 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP200N25N3GXKSA1
Code Commande47W3479
Egalement appeléIPP200N25N3 G, SP000677894
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,890 $ |
| 10+ | 4,890 $ |
| 25+ | 4,890 $ |
| 50+ | 4,560 $ |
| 100+ | 4,520 $ |
| 250+ | 4,200 $ |
| 500+ | 3,880 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP200N25N3GXKSA1
Code Commande47W3479
Egalement appeléIPP200N25N3 G, SP000677894
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IPP200N25N3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Lighting, Audio
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit