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IPP60R080P7XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 37A, 129W, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R080P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande93AC7133
Gamme de produitCoolMOS P7
Votre numéro de pièce
119 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,750 $ |
| 10+ | 4,040 $ |
| 25+ | 3,920 $ |
| 50+ | 3,800 $ |
| 100+ | 3,690 $ |
| 250+ | 3,600 $ |
| 500+ | 3,510 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,75 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R080P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande93AC7133
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id37A
On Resistance Rds(on)0.069ohm
Drain Source On State Resistance0.069ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd129W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation129W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.069ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
129W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.069ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
129W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPP60R080P7XKSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit