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IPP60R125C6XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-220-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R125C6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande13AC9082
Gamme de produitCoolMOS C6
Votre numéro de pièce
619 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,350 $ |
| 10+ | 8,060 $ |
| 25+ | 6,780 $ |
| 50+ | 5,490 $ |
| 100+ | 5,110 $ |
| 250+ | 4,790 $ |
| 500+ | 4,470 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,35 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP60R125C6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande13AC9082
Gamme de produitCoolMOS C6
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd219W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation219W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation Pd
219W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
219W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit