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IPP65R060CFD7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 36 A, 0.06 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R060CFD7XKSA1Copie
Code Commande92AH5315
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Votre numéro de pièce
493 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,830 $ |
| 10+ | 9,150 $ |
| 25+ | 7,480 $ |
| 50+ | 5,800 $ |
| 100+ | 5,330 $ |
| 250+ | 4,900 $ |
| 500+ | 4,470 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,83 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R060CFD7XKSA1Copie
Code Commande92AH5315
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.052ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd171W
Power Dissipation171W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.052ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
171W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit