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IPP65R190C6XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 20.2A, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R190C6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande49AC0303
Gamme de produitCoolMOS C6
Votre numéro de pièce
530 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,550 $ |
| 10+ | 5,230 $ |
| 25+ | 4,840 $ |
| 50+ | 4,470 $ |
| 100+ | 4,090 $ |
| 250+ | 3,560 $ |
| 500+ | 3,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,55 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP65R190C6XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande49AC0303
Gamme de produitCoolMOS C6
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.2A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd151W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation151W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
151W
Power Dissipation
151W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit