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IPT007N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 300 A, 750 µohm, HSOF, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT007N06NATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5273
Mise en bobine50Y2078RL
Bandes découpées50Y2078
Egalement appeléIPT007N06N, SP001100158
Votre numéro de pièce
3 211 En Stock
3 211 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,550 $ | 9,55 $ |
| Total Prix | 9,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,550 $ |
| 50+ | 5,600 $ |
| 100+ | 5,280 $ |
| 250+ | 4,960 $ |
| 500+ | 4,620 $ |
| 1000+ | 4,370 $ |
| 2500+ | 4,280 $ |
| 5000+ | 4,200 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 4,120 $ |
| 6000+ | 4,030 $ |
| 10000+ | 3,950 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT007N06NATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5273
Mise en bobine50Y2078RL
Bandes découpées50Y2078
Egalement appeléIPT007N06N, SP001100158
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source On State Resistance750µohm
On Resistance Rds(on)660µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd375W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IPT007N06NATMA1 is a N-channel power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behavior as well as best thermal behavior and space reduction are required.
- Industry's lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
On Resistance Rds(on)
660µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
375W
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit