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IPT020N10N3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, HSOF, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT020N10N3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2079RL
Bandes découpées50Y2079
Votre numéro de pièce
5 769 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,980 $ | 9,98 $ |
| Total Prix | 9,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,980 $ |
| 50+ | 5,310 $ |
| 100+ | 4,860 $ |
| 250+ | 4,470 $ |
| 500+ | 3,950 $ |
| 1000+ | 3,860 $ |
| 2500+ | 3,790 $ |
| 5000+ | 3,710 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT020N10N3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2079RL
Bandes découpées50Y2079
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id300A
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd375W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPT020N10N3 is a N-channel Power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability up to 300A
- Very low package parasitic and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- Enabling very compact design
- Normal level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Extremely low ON-resistance RDS (ON)
- High current capability
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Case Style
HSOF
Power Dissipation Pd
375W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPT020N10N3ATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit