Imprimer la page
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 169A, PG-HSOF
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT029N08N5ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande68AK5332
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
1 593 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 7,350 $ |
| 10+ | 4,860 $ |
| 25+ | 4,610 $ |
| 50+ | 4,380 $ |
| 100+ | 4,140 $ |
| 250+ | 3,820 $ |
| 500+ | 3,480 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
36,75 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT029N08N5ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande68AK5332
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id169A
Drain Source On State Resistance2900µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation167W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
169A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit