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IPT059N15N3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 115 A, 0.005 ohm, HSOF, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT059N15N3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5280
Mise en bobine50Y2080RL
Bandes découpées50Y2080
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPT059N15N3, SP001100162
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 9,560 $ | 47,80 $ |
| Total Prix | 47,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 9,560 $ |
| 10+ | 5,170 $ |
| 15+ | 5,060 $ |
| 25+ | 4,960 $ |
| 50+ | 4,850 $ |
| 125+ | 4,740 $ |
| 250+ | 4,640 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 5,620 $ |
| 4000+ | 5,510 $ |
| 6000+ | 5,400 $ |
| 10000+ | 5,280 $ |
| 20000+ | 5,170 $ |
| 50000+ | 5,060 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT059N15N3ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5280
Mise en bobine50Y2080RL
Bandes découpées50Y2080
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPT059N15N3, SP001100162
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id115A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd375W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IPT059N15N3ATMA1 is an OptiMOS™3 N-channel power MOSFET. Potential applications are forklift, light electric vehicles (LEV) e.g. e-scooter, e-bikes or µ-car, Point-of-load (POL), telecom, efuse.
- Normal level, excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS (on), 175°C operating temperature, PG-HSOF-8 package
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
- Less paralleling and cooling required, highest system reliability
- System cost reduction, enabling very compact design
- Drain-source on-state resistance is 5.9mohm at VGS=10V, ID=150A
- Diode continuous forward current is 155A at TC=25°C
- Drain-source breakdown voltage is 150V at VGS=0V, ID=1mA
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
115A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
375W
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit