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IPTG011N08NM5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPTG011N08NM5ATMA1
Code Commande
Mise en bobine60AJ3894
Bandes découpées60AJ3894
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,860 $ |
| 10+ | 7,250 $ |
| 25+ | 6,580 $ |
| 50+ | 5,880 $ |
| 100+ | 5,200 $ |
| 250+ | 5,120 $ |
| 500+ | 5,060 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPTG011N08NM5ATMA1
Code Commande
Mise en bobine60AJ3894
Bandes découpées60AJ3894
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id408A
On Resistance Rds(on)0.001ohm
Drain Source On State Resistance1000µohm
Transistor Case StyleHSOG
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.001ohm
Transistor Case Style
HSOG
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
408A
Drain Source On State Resistance
1000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit