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IPTG014N10NM5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 366 A, 0.0013 ohm, HSOG, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPTG014N10NM5ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine60AJ3895
Bandes découpées60AJ3895
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,690 $ | 9,69 $ |
| Total Prix | 9,69 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,690 $ |
| 10+ | 6,480 $ |
| 25+ | 5,870 $ |
| 50+ | 5,260 $ |
| 100+ | 4,650 $ |
| 250+ | 4,440 $ |
| 500+ | 4,230 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPTG014N10NM5ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine60AJ3895
Bandes découpées60AJ3895
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id366A
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Drain Source On State Resistance1300µohm
Transistor Case StyleHSOG
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Transistor Case Style
HSOG
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
375W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
366A
Drain Source On State Resistance
1300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit