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IPW60R040C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R040C7XKSA1
Code Commande13AC9095
Gamme de produitCoolMOS C7 Series
Fiche technique
467 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,570 $ |
| 10+ | 7,570 $ |
| 25+ | 7,570 $ |
| 50+ | 7,570 $ |
| 100+ | 7,570 $ |
| 480+ | 7,570 $ |
| 720+ | 7,570 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,57 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R040C7XKSA1
Code Commande13AC9095
Gamme de produitCoolMOS C7 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation227W
Power Dissipation Pd227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7 Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPW60R040C7XKSA1
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7 Series
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit