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IPW60R041P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R041P6FKSA1
Code Commande12AC9733
Gamme de produitCoolMOS P6
Fiche technique
5 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,640 $ |
| 10+ | 13,860 $ |
| 25+ | 11,070 $ |
| 50+ | 10,870 $ |
| 100+ | 10,670 $ |
| 480+ | 10,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,64 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R041P6FKSA1
Code Commande12AC9733
Gamme de produitCoolMOS P6
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id77.5A
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd481W
Power Dissipation481W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
481W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
77.5A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
481W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit