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IPW60R045P7XKSA1
MOSFET, N CH, 600V, 61A, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R045P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande42AH1848
Gamme de produitCoolMOS P7 Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,980 $ |
| 10+ | 13,190 $ |
| 25+ | 11,400 $ |
| 50+ | 9,610 $ |
| 100+ | 9,030 $ |
| 250+ | 8,430 $ |
| 500+ | 8,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
14,98 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R045P7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande42AH1848
Gamme de produitCoolMOS P7 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id61A
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd201W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation201W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
201W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
201W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit