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IPW60R099C7XKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 22A, TO-247-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R099C7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande13AC9096
Gamme de produitCoolMOS C7
Votre numéro de pièce
230 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,690 $ |
| 10+ | 6,690 $ |
| 25+ | 6,400 $ |
| 50+ | 6,110 $ |
| 100+ | 5,820 $ |
| 250+ | 5,580 $ |
| 500+ | 5,330 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,69 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW60R099C7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande13AC9096
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id22A
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation110W
Power Dissipation Pd110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit