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IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-247-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW65R110CFDAFKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande13AC9100
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,750 $ |
| 10+ | 11,190 $ |
| 25+ | 9,640 $ |
| 50+ | 8,080 $ |
| 100+ | 7,570 $ |
| 250+ | 7,060 $ |
| 500+ | 6,920 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
12,75 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPW65R110CFDAFKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande13AC9100
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
On Resistance Rds(on)0.099ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8W
Power Dissipation Pd277.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
On Resistance Rds(on)
0.099ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
277.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit