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IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET, N-CH, 650V, 75A, TO-247-4
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPZ65R019C7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande34AC1740
Gamme de produitCoolMOS C7
Votre numéro de pièce
276 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 37,400 $ |
| 10+ | 26,070 $ |
| 25+ | 25,840 $ |
| 50+ | 25,630 $ |
| 100+ | 25,400 $ |
| 250+ | 24,890 $ |
| 500+ | 24,380 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
37,40 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPZ65R019C7XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande34AC1740
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id75A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd446W
Power Dissipation446W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
446W
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPZ65R019C7XKSA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit