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IQE013N04LM6CGATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 205A, TTFN
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,070 $ | 6,07 $ |
| Total Prix | 6,07 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,070 $ |
| 50+ | 3,310 $ |
| 100+ | 3,030 $ |
| 250+ | 2,790 $ |
| 500+ | 2,560 $ |
| 1000+ | 2,500 $ |
| 2500+ | 2,460 $ |
| 5000+ | 2,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIQE013N04LM6CGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine92AH5321RL
Bandes découpées92AH5321
Gamme de produitOptiMOS
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id205A
On Resistance Rds(on)0.0011ohm
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleTTFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd107W
Power Dissipation107W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0011ohm
Transistor Case Style
TTFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
107W
No. of Pins
9Pins
Product Range
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
205A
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit