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IR2117STRPBF
Gate Driver, 1 Channels, High Side, IGBT, MOSFET, 8 Pins, SOIC
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIR2117STRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine64AH3730RL
Bandes découpées64AH3730
Votre numéro de pièce
5 778 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,590 $ | 2,59 $ |
| Total Prix | 2,59 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,590 $ |
| 50+ | 1,750 $ |
| 100+ | 1,550 $ |
| 250+ | 1,470 $ |
| 500+ | 1,430 $ |
| 1000+ | 1,400 $ |
| 2500+ | 1,370 $ |
| 5000+ | 1,340 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIR2117STRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine64AH3730RL
Bandes découpées64AH3730
Fiche technique
No. of Channels1Channels
Gate Driver Type-
Driver ConfigurationHigh Side
Power Switch TypeIGBT, MOSFET
No. of Pins8Pins
Driver Case StyleSOIC
IC Case / PackageSOIC
IC MountingSurface Mount
Input TypeNon-Inverting
Source Current250mA
Sink Current500mA
Supply Voltage Min10V
Supply Voltage Max20V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay125ns
Output Delay105ns
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IR2117STRPBF is a high voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch-immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high or low side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation, fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune, undervoltage lockout
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Output in phase with input
- Output high short circuit pulsed current is 200mA min (VO=0V, VIN=Logic “1”, PW ≤ 10µs)
- Output low short circuit pulsed current is 420mA min (VO=15V, VIN=Logic “0”, PW ≤ 10µs)
- Turn-on propagation delay is 125ns typ (VS=0V, VBIAS (VCC, VBS)=15V, CL=1000pF and TA=25°C)
- Turn-off propagation delay is 105ns typ (VS=600V, CL=1000pF and TA=25°C)
- 8 lead SOIC package, ambient temperature range from -40 to 125°C
Spécifications techniques
No. of Channels
1Channels
Driver Configuration
High Side
No. of Pins
8Pins
IC Case / Package
SOIC
Input Type
Non-Inverting
Sink Current
500mA
Supply Voltage Max
20V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
105ns
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Gate Driver Type
-
Power Switch Type
IGBT, MOSFET
Driver Case Style
SOIC
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
250mA
Supply Voltage Min
10V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
125ns
Product Range
-
MSL
MSL 2 - 1 year
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit