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IRF100B201
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF100B201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande12AC9745
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Votre numéro de pièce
5 437 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,350 $ |
| 10+ | 3,810 $ |
| 100+ | 3,010 $ |
| 500+ | 2,670 $ |
| 1000+ | 2,530 $ |
| 2500+ | 2,520 $ |
| 5000+ | 2,460 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,35 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF100B201Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande12AC9745
Gamme de produitStrongIRFET, HEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id192A
Drain Source On State Resistance4200µohm
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd441W
Power Dissipation441W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
HEXFET® power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/AC inverters , DC/DC and AC/DC converters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
441W
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
192A
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
441W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit