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IRF1010EZPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 75 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1010EZPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande63J7168
Egalement appeléSP001571244
Votre numéro de pièce
1 461 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,630 $ |
| 10+ | 2,770 $ |
| 100+ | 1,690 $ |
| 500+ | 1,340 $ |
| 1000+ | 1,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,63 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1010EZPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande63J7168
Egalement appeléSP001571244
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.0085ohm
On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd140W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour IRF1010EZPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IRF1010EZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0085ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.0085ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
140W
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits