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IRF1310NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1310NSTRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5347
Mise en bobine13AC9171RL
Bandes découpées13AC9171
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
1 038 En Stock
1 038 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,890 $ | 3,89 $ |
| Total Prix | 3,89 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,890 $ |
| 50+ | 2,950 $ |
| 100+ | 2,130 $ |
| 250+ | 2,030 $ |
| 500+ | 1,930 $ |
| 1000+ | 1,660 $ |
| 2500+ | 1,630 $ |
| 5000+ | 1,590 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 1,680 $ |
| 2400+ | 1,530 $ |
| 4000+ | 1,470 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1310NSTRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5347
Mise en bobine13AC9171RL
Bandes découpées13AC9171
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd160W
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
160W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit