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IRF1310NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1310NSTRLPBF
Code Commande13AC9171
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF1310NSTRLPBF
Code Commande13AC9171
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
Power Dissipation Pd160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
160W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit