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IRF2807ZPBF
MOSFET, N, 75V, 89A, TO-220
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF2807ZPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande38K2765
Votre numéro de pièce
170 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,330 $ |
| 10+ | 2,370 $ |
| 100+ | 1,670 $ |
| 500+ | 1,410 $ |
| 1000+ | 1,290 $ |
| 3000+ | 1,220 $ |
| 10000+ | 1,190 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,33 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF2807ZPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande38K2765
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id89A
On Resistance Rds(on)0.0094ohm
Drain Source On State Resistance9400µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd170W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IRF2807ZPBF
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IRF2807ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0094ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
89A
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
170W
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit