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IRF3808STRLPBF
MOSFET, N-CH, 75V, 106A, TO-263
2 549 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,810 $ | 5,81 $ |
| Total Prix | 5,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,810 $ |
| 50+ | 3,830 $ |
| 100+ | 2,680 $ |
| 250+ | 2,630 $ |
| 500+ | 2,560 $ |
| 1000+ | 2,160 $ |
| 2500+ | 2,120 $ |
| 5000+ | 2,070 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF3808STRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine34AC1769RL
Bandes découpées34AC1769
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id106A
On Resistance Rds(on)0.0059ohm
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.0059ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit