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IRF5210PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,230 $ |
| 10+ | 3,850 $ |
| 100+ | 2,090 $ |
| 500+ | 1,760 $ |
| 1000+ | 1,710 $ |
| 3000+ | 1,660 $ |
| 5000+ | 1,640 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5210PBF
Code Commande63J7311
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRF5210PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes advance processing techniques to achieve extremely low 0n-resistance per silicon area.
- Advanced Process Technology
- New Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
- Dynamic dv/dt Rating
- Fully Avalanche Rated
Applications
Audio, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
200W
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits