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IRF5210STRLPBF
Power MOSFET, HEXFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5210STRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine40M7918
Bandes découpées40M7918
Egalement appeléSP001554020
Votre numéro de pièce
20 430 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,320 $ | 7,32 $ |
| Total Prix | 7,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,320 $ |
| 10+ | 4,870 $ |
| 25+ | 4,550 $ |
| 50+ | 4,230 $ |
| 100+ | 3,910 $ |
| 250+ | 3,870 $ |
| 500+ | 3,840 $ |
| 1600+ | 3,230 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5210STRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine40M7918
Bandes découpées40M7918
Egalement appeléSP001554020
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38A
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
3.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit