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IRF5210STRLPBF
Power MOSFET, HEXFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRF5210STRLPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine40M7918RL Bandes découpées40M7918 |
| Egalement appelé | SP001554020 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
18 217 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,690 $ | 4,69 $ |
| Total Prix | 4,69 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,690 $ |
| 50+ | 2,550 $ |
| 100+ | 2,340 $ |
| 250+ | 2,300 $ |
| 500+ | 2,240 $ |
| 1000+ | 2,200 $ |
| 2500+ | 2,160 $ |
| 5000+ | 2,100 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | IRF5210STRLPBFCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine40M7918RL Bandes découpées40M7918 |
| Egalement appelé | SP001554020 |
| Fiche technique | |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Continuous Drain Current Id | 38A |
| Drain Source On State Resistance | 0.06ohm |
| On Resistance Rds(on) | 0.06ohm |
| Transistor Case Style | TO-263 (D2PAK) |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 3.8W |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Power Dissipation | 3.8W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | - |
| SVHC | Lead (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Applications
Automotive, Power Management
Spécifications techniques
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Drain Source On State Resistance | 0.06ohm |
| Transistor Case Style | TO-263 (D2PAK) |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | - |
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 38A |
| On Resistance Rds(on) | 0.06ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 3.8W |
| Power Dissipation | 3.8W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | Lead (25-Jun-2025) |
Documents techniques (3)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Y-Ex RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | Lead (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |