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IRF5305PBF
MOSFET, P TO-220 TUBE 50
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5305PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande63J7317
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001564354
Votre numéro de pièce
5 461 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,850 $ |
| 10+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 500+ | 0,932 $ |
| 1000+ | 0,851 $ |
| 2500+ | 0,811 $ |
| 10000+ | 0,795 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,85 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF5305PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande63J7317
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001564354
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRF5305PBF is -55V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -55V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 60mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 110W at 25°C
- Continuous drain current Id of -31A at Vgs -10V and 25°C
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit