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IRF640NSTRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 150 mohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF640NSTRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine42Y0392
Bandes découpées42Y0392
Votre numéro de pièce
3 224 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,940 $ | 2,94 $ |
| Total Prix | 2,94 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,940 $ |
| 10+ | 1,850 $ |
| 25+ | 1,700 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF640NSTRLPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine42Y0392
Bandes découpées42Y0392
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance150mohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRF640NSTRLPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Advanced process technology
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rating
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
150mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit