Imprimer la page
IRF7103TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7103TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète83AK6934
Mise en bobine19K8221RL
Bandes découpées19K8221
Votre numéro de pièce
185 653 En Stock
185 653 disponibles sur {packagingType}
12 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,900 $ | 1,90 $ |
| Total Prix | 1,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,900 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 0,899 $ |
| 250+ | 0,809 $ |
| 500+ | 0,719 $ |
| 1000+ | 0,660 $ |
| 2500+ | 0,611 $ |
| 5000+ | 0,598 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,452 $ |
| 12000+ | 0,412 $ |
| 20000+ | 0,396 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7103TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète83AK6934
Mise en bobine19K8221RL
Bandes découpées19K8221
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.11ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.11ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Advanced process technology
- Ultra low ON-resistance
- Surface-mount device
- Dynamic dV/dt rating
- Fast switching performance
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source Voltage Vds
50V
Continuous Drain Current Id P Channel
3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.11ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.11ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF7103TRPBF
1 produit trouvé
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit