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IRF7309TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7309TRPBF
Code Commande19K8240
Egalement appeléSP001554164
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,490 $ |
| 10+ | 1,170 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,925 $ |
| 250+ | 0,844 $ |
| 500+ | 0,762 $ |
| 1000+ | 0,711 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,49 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7309TRPBF
Code Commande19K8240
Egalement appeléSP001554164
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.05ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.05ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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