Imprimer la page
IRF7328TRPBFXTMA1
Dual MOSFET, Dual P Channel, 30 V, 8 A
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7328TRPBFXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7073RL
Bandes découpées79AK7073
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
1 128 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,960 $ | 2,96 $ |
| Total Prix | 2,96 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,960 $ |
| 50+ | 1,860 $ |
| 100+ | 1,220 $ |
| 250+ | 1,190 $ |
| 500+ | 0,941 $ |
| 1000+ | 0,835 $ |
| 2500+ | 0,833 $ |
| 5000+ | 0,717 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7328TRPBFXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Mise en bobine79AK7073RL
Bandes découpées79AK7073
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StyleSO-8
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
SO-8
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit