Imprimer la page
IRF7351TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7351TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine13AC9191
Bandes découpées13AC9191
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
318 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 4-6 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,280 $ | 16,40 $ |
| Total Prix | 16,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,280 $ |
| 10+ | 2,100 $ |
| 25+ | 1,880 $ |
| 50+ | 1,640 $ |
| 100+ | 1,440 $ |
| 250+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,140 $ |
| 1000+ | 1,060 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF7351TRPBFCopie
Code Commande
Mise en bobine13AC9191
Bandes découpées13AC9191
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0137ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0137ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0137ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0137ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit